摩尔定律的零应该是分子，但是目前英特尔公司技术总监认为它没有零，这只有一种可能，那就是目前半导体PN结构离分子结构还相差甚远。
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第二章 摩尔定律没有零
这是2002年4月25日英特尔(中国)IDF大会上Abni Talwalkar企业平台部门副总裁对到2004年微处理器工艺的预测。说是预测，实际上这些产品，特别是从0.18 淀到90 nm工艺微处理器产品，已经实验成功，或者有一部分已经进入小批量试生产。从这个趋势看来，英特尔公司微处理器在3年内的芯体体积还可能缩小至目前的三分之一到五分之一。
再看看这张图，是英特尔公司副总裁兼首席技术官Partick P·Gelsinger对未来7年内微处理器芯片的预测，这十分容易地看出未来7年内微处理器工艺技术的发展方向。
当然，半导体工艺技术的发展只能说明微处理器体积、技术、性能的一个方面。英特尔公司已经研制了BBUL无焊点的内建层封装工艺，将传统焊接硅芯方法，改成嵌入到基座上的方法，使封装好的芯片的外型从2mm缩到1mm。
除了半导体工艺技术和无碍技术之外，基于极远紫外光刻电路技术，也在从1/10波长发展到了1/20波长。预计这次光刻技术会在5年后投入应用。
对上述三项技术的挑战是功率密度问题。
如图所示，到2010年微处理器芯片的功率密度会向太阳表面温度发展。面对这种挑战，英特尔会将采用超线程，0.15nm的门推进转换速率等，使其功率下降至千分之一，甚至更多。当然，英特尔公司还没有透露其关键的散热技术。
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